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技術(shù)文章

非接觸型(雙面探頭型)和非破壞型(單面探頭型)

如上所述,在非接觸型中,通過將樣品插入上下配對的探針之間的間隙中來執(zhí)行測量。

因此,探針單元的形狀不可避免地限制了樣品的厚度和相應的尺寸。

  • 樣品厚度限制:探針之間的間隙通常為2 mm。
  • 樣品支架尺寸限制:由于U形單元的形狀,深度受到限制。

 

DSC_0082因此,為了處理大樣本和厚樣本,我們通過應用渦流技術(shù)開發(fā)并制造了一種單面手持式探頭。

如左圖所示,只需垂直于樣品表面觸摸探頭即可進行測量。

 

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

 

 

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

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