日本沃康valcom壓力傳感器的工作原理
在硅芯片受壓部(硅膜片)中,與通常的IC制造工序相同,通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散形成硅量規(guī)。
當(dāng)壓力施加到硅芯片上時(shí),表電阻根據(jù)撓度變化,并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。(磁阻效應(yīng))
該量規(guī)的特征在于大的量規(guī)比。(金屬規(guī)格為2-3,硅規(guī)格為10到100)。
結(jié)果,可以獲得高輸出,使得可以用厚的膜片來(lái)制造,并且改善了壓力傳感器的耐壓性。
半導(dǎo)體壓力傳感器
VDP4,VSW2(用于低壓)等
半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器是與測(cè)量介質(zhì)直接接觸的具有高耐蝕性的金屬膜片(相當(dāng)于Hastelloy C-22,SUS316L等),以及通過(guò)壓力傳感器檢測(cè)壓力的硅芯片(硅膜片)。密封的硅油。)用于雙隔膜方法。
SUS316L膜片(或等效的Hastelloy C-22)通過(guò)壓力入口與測(cè)量介質(zhì)直接接觸,并且可以穩(wěn)定地測(cè)量未浸入其中的介質(zhì)(空氣,水,油等)。 )... [當(dāng)連接螺釘?shù)男螤顬镚3 / 8時(shí),將使用O形圈(氟橡膠)來(lái)密封管道。]
半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器
VESW,VESX,VESY,VESZ,VHR3,VHG3,VAR3,VAG3,VPRNP,VPNPR,VPNPG,VNF,HS1,HV1,AS1,AV1,NS1,NV1,VESI,VESV,VSW2,VST等。
應(yīng)變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說(shuō)明
左側(cè)所示的電阻橋安裝在受壓部的金屬膜的背面,將施加壓力時(shí)金屬膜的變形量檢測(cè)為電壓變化。
由于在金屬膜片表面上有一些應(yīng)變量大的地方和有應(yīng)變量小的地方,所以安裝了四個(gè)電阻器,即使應(yīng)變量有偏差,也可以正確地檢測(cè)到。
應(yīng)變片式壓力傳感器
VSD4,NSMS-A6VB,HSSC,HSSC-A6V,VHS,VHST,HSMC2,HSMC,VPE,VPB,VPRT,VPRTF,VPRQ,VPRQF,VPVT,VPVTF,VPVQ,VPVQF,VPRF,VFM,VF ,VFS,VTRF,VPRF2,VPRH2等。
薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說(shuō)明
我們的薄膜壓力傳感器使用隔膜型,并使用金屬規(guī)格的薄膜。當(dāng)從壓力入口施加壓力時(shí),膜片變形,并且檢測(cè)到由在膜片上形成的金屬規(guī)格薄膜的變形引起的電阻變化。
它具有比應(yīng)變儀型壓力傳感器更高的靈敏度輸出,并且比半導(dǎo)體型壓力傳感器具有更低的溫度系數(shù)的特性。
VSW2
當(dāng)在金屬量規(guī)薄膜上施加壓力并且在輸入端有電流流動(dòng)時(shí)發(fā)生變形時(shí),它表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號(hào)的變化。
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